Транзистори

Тип транзистора: MOSFET Полярність: N Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 230 W Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 75 V Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 20 V Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 4 V Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 82 A Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C Загальний заряд затвора (Qg): 160 nC Час зростання (tr): 64 ns Вихідна ємність (Cd): 610 pf Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 0.013 Ohm Тип корпусу: TO-220AB

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником. Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника

заказ от 5 шт Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником. Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника

заказ от 5 шт Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником. Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника

Транзистор КТ829 Транзистор КТ829 – кремниевый мощный, низкочастотный биполярный транзистор с n-p-n структурой. Применяется в усилителях низкой частоты и переключающих устройствах. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Цоколевка транзистора КТ829 КТ829 Характеристики транзистора КТ829 Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), А Pкmax(т), Вт h21э fгр., МГц КТ829А 100 100 8 (12) 60 750 4 КТ829Б 80 80 8 (12) 60 750 4 КТ829В 60 60 8 (12) 60 750 4 КТ829Г 45 45 8 (12) 60 750 4 Uкбо(и) - Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база Uкэо(и) - Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер Iкmax(и) - Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора Pкmax(т) - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Аналог транзистора КТ829 Вместо КТ829 можно использовать схему составного транзистора

Структура PNP Тип транзистора Биполярный Мощность 60Вт Тип корпуса транзистора TO220 Тип монтажа DIP Вес г. 2.5 Заводская упаковка 100шт. Напряжение коллектор-эмиттер 70В Ток коллектора 10А Коэффициент усиления по току 15 Частота 3МГц

Транзисторы КТ639Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, автомобильных электронных устройствах, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ

КТ816Б – кремнієві транзистори структури p-n-p підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах та імпульсних пристроях. Структура транзистора: p-n-p Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 25 Вт Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц КТ816Б Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюгу база-емітер: 45 В (1кОм)

UCE/UCB 400/500V IC 12A hFE - Ptot 100W fT 10MHz TJ -