Транзистор КТ816Б

КТ816Б – кремнієві транзистори структури p-n-p підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах та імпульсних пристроях. Структура транзистора: p-n-p Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 25 Вт Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц КТ816Б Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюгу база-емітер: 45 В (1кОм)