Транзистори біполярні

Структура PNP Тип транзистора Биполярный Мощность 60Вт Тип корпуса транзистора TO220 Тип монтажа DIP Вес г. 2.5 Заводская упаковка 100шт. Напряжение коллектор-эмиттер 70В Ток коллектора 10А Коэффициент усиления по току 15 Частота 3МГц

Транзисторы КТ639Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, автомобильных электронных устройствах, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ

КТ816Б – кремнієві транзистори структури p-n-p підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах та імпульсних пристроях. Структура транзистора: p-n-p Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 25 Вт Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц КТ816Б Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюгу база-емітер: 45 В (1кОм)